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1、恢(hui)複時間不(bu)同(tong)。

RS1M是(shi)普(pu)通(tong)的快(kuai)恢複。ES1J是超(chao)快恢複(fu)。

2、反(fan)向時間不同。

RS1M的(de)反向時間為250nSES1J的反向時間為(wei)35nS

3、最大(da)重複峰值(zhi)反向電壓(ya)不同。

RS1M最大重(zhong)複峰(feng)值反向電壓是1000VES1J最(zui)大重複峰值反向(xiang)電壓是600V

4、正(zheng)向電壓下降(jiang)不同

RS1M正向電壓下降1.3VES1J正向電壓下降1.7V

擴展資(zi)料(liao)：

　　二(er)極管(guan)的工(gong)作(zuo)原理：

　　晶(jing)體(ti)二極管為一個(ge)由(you)p型半(ban)導(dao)體和(he)n型半導體形成(cheng)的pn結，在(zai)其(qi)界麵(mian)處兩側(ce)形(xing)成空(kong)間電荷(he)層(ceng)，並(bing)建(jian)有(you)自建電場(chang)。當不存(cun)在外加(jia)電壓時，由於(yu)pn結兩邊(bian)載(zai)流(liu)子濃度(du)差(cha)引(yin)起的擴散(san)電流和自建電場引起(qi)的漂移電流相(xiang)等而處於電平(ping)衡(heng)狀態(tai)。

　　當外界(jie)有正向電壓偏置(zhi)時，外界電場和自建電場的互相抑消(xiao)作用(yong)使(shi)載流子的擴(kuo)散電流增加引起了正向電流。當(dang)外界有反向電壓偏(pian)置時(shi)，外界電場和自(zi)建電場進一(yi)步(bu)加強(qiang)，形成在一定(ding)反向電壓範(fan)圍內(nei)與反向偏置電壓值無(wu)關的反向飽和電流I0

　　當外(wai)加的反向電壓高(gao)到一定程(cheng)度時，pn結(jie)空間(jian)電荷層中的電場強度達(da)到(dao)臨界值產(chan)生載流子的倍增(zeng)過(guo)程，產生(sheng)大量電子空穴對(dui)，產生了(le)數值很(hen)大的反向擊(ji)穿電流，稱為二極管的擊穿現象(xiang)。pn結的反向擊穿(chuan)有齊(qi)納(na)擊穿和雪崩(beng)擊穿之(zhi)分(fen)。

　　二極(ji)管的導電特(te)性：

　　二極管最重要的特性就(jiu)是單(dan)方向導電性(xing)。在電路中，電流隻(zhi)能(neng)從二極管的正極流入(ru)，負(fu)極流出(chu)。

1、正向特性。

　　在電子電路中(zhong)，將二極管的正極接(jie)在高電位端(duan)，負極接在低電位(wei)端，二極管就會(hui)導通，這(zhe)種(zhong)連(lian)接方(fang)式(shi)，稱為正向偏置。當加在二極管兩(liang)端的正向電壓很小(xiao)時，二極管仍(reng)然不能導通，流過二極管的正向電流十分微(wei)弱。

　　隻有當正向電壓達到某(mou)一數值(這一數值稱為“門(men)坎(kan)電壓”，又(you)稱“死(si)區(qu)電壓”，鍺(duo)管約(yue)為0.1V，矽(xi)管約為0.5V)以後(hou)，二極管才(cai)能真正導通。導通後二極管兩端的電壓基(ji)本(ben)上(shang)保(bao)持(chi)不變(鍺管約為0.3V，矽管約為0.7V)，稱為二極管的“正向壓降”

2、反向特性。

　　在電子電路(lu)中，二極管的正極接在低(di)電位端，負極接在高電位端，此(ci)時二極管中幾(ji)乎沒(mei)有電流流過，此時二極管處(chu)於截止(zhi)狀態，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處於反向偏置時，仍然(ran)會有微弱(ruo)的反向電流流過二極管，稱(cheng)為漏(lou)電流。

　　當二極管兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極管將(jiang)失(shi)去單方向導電特性，這種狀(zhuang)態稱為二極管的擊穿。