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　　肖特基(ji)二極(ji)管不是(shi)利用P型半(ban)導體(ti)與(yu)N型(xing)半導(dao)體接(jie)觸形成(cheng)PN結(jie)原理(li)製作的，而(er)是利用(yong)金(jin)屬(shu)與半導體接觸(chu)形成的金屬-半導體結(jie)原理(li)製作的。因(yin)此(ci)，肖特基二極管(guan)也(ye)稱(cheng)為金屬-半導體(接觸(chu))二極管或表麵勢(shi)壘二極管，它是一(yi)種熱(re)載流子二(er)極管。

　　SBD的主要優點包(bao)括(kuo)兩(liang)個方(fang)麵：

　　1)由(you)於肖特(te)基勢壘高度低於PN結勢壘高度(du)，故(gu)其正(zheng)向導通門(men)限電壓(ya)和正向(xiang)壓降都比PN結二極管低(約(yue)低0.2V)。

　　2)由於(yu)肖特基二極管是一種多數(shu)載流(liu)子導電器件，不(bu)存在少數載流子(zi)壽命(ming)和(he)反向恢(hui)複問(wen)題。肖(xiao)特基二極管的(de)反向恢複(fu)時(shi)間(jian)隻是肖特基勢壘(lei)電容的充、放(fang)電時間，完(wan)全(quan)不同於PN結二極管的反(fan)向恢複時間。由於肖特基二極管的反向恢複電荷非常少(shao)，故開關速度非常(chang)快(kuai)，開(kai)關(guan)損耗(hao)也特別(bie)小(xiao)，尤(you)其(qi)適合於高頻(pin)應(ying)用。

　　但是，由於肖特基二極管的反向勢壘較(jiao)薄，並且在(zai)其表麵(mian)極易(yi)發生(sheng)擊(ji)穿，所(suo)以(yi)反向擊穿(chuan)電壓比(bi)較低(di)。由於肖特基二極管比PN結二極管更(geng)容易受熱擊穿，反向漏(lou)電流比PN結二極管大(da)。

　　應用

　　肖特基二極管的結構(gou)及(ji)特點使(shi)其適(shi)合(he)於在低壓、大電流輸(shu)出(chu)場合用作高(gao)頻整(zheng)流，在非(fei)常高的頻率下(xia)(如X波段(duan)、C波段(duan)、S波段(duan)和Ku波段(duan))用於檢波和混頻，在高速邏(luo)輯電路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二極管，像肖特基二極管這樣的集成電路(lu)早已(yi)成為(wei)TTL電路的主流，在高速計算機(ji)中(zhong)被廣泛采(cai)用。

　　除(chu)了(le)普(pu)通PN結二極管的特性參(can)數之(zhi)外，用於檢(jian)波(bo)和混頻的肖特基二極管電氣參數還包括中頻阻抗(指肖特基二極管施加額定本振功(gong)率時對(dui)指(zhi)定中頻所呈(cheng)現的阻抗(kang)，一般(ban)在200Ω～600Ω之間)、電壓駐(zhu)波比(一般≤2)和噪聲(sheng)係數等(deng)。

　　作用

　　肖特基二極管，它(ta)屬一種(zhong)低功耗、超(chao)高速(su)半導體器件。它顯(xian)著的特點為反向恢複時間極短(可以小到(dao)幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xu)流二極管、保護(hu)二極管，也有用在微波通信(xin)等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

　　一個典(dian)型的應用，是在雙極型晶體管 BJT 的開關電路裏麵，通過在 BJT 上(shang)連(lian)接 Shockley 二極管來(lai)箝位，使得(de)晶(jing)體管在導通(tong)狀態時其實(shi)處於很接近截止(zhi)狀(zhuang)態，從而提高晶體管的開關速度。這(zhe)種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數字 IC 的 TTL內(nei)部電路中使用的技術(shu)。

　　肖特基二極管的還有一個特點便是正向壓降(jiang) VF 比較小。在同(tong)樣電流的情況(kuang)下，它的正向壓降要(yao)小許多(duo)。另外它的恢複時間短。它也有一些缺(que)點(dian)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全麵考慮。